SIHD3N50D-E3 دیتاشیت

SIHD3N50DT4-GE3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SIHD3N50DT4-GE3
حجم فایل 93.814 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

دانلود دیتاشیت SIHD3N50DT4-GE3

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Vishay Intertech SIHD3N50D-E3
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 69W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 12nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 500V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 175pF@100V
  • Continuous Drain Current (Id): 3A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 5V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 3.2Ω@2.5A,10V
  • Package: TO-252-3
  • Manufacturer: Vishay Intertech

محصولات مشابه